- 中芯國際火速回A，最快8月報會注冊！直追國際先進工藝，產業鏈國產替代化加速
- 2020年06月02日 來源：證券時報
提要：中芯國際本次擬發行不超過16.86億股新股，預計募資200億元，計劃分別投入中芯南方正在進行的12英寸芯片SN1項目（80億元），先進及成熟工藝研發項目儲備資金（40億元），補充流動資金（80億元）。
內地芯片制造龍頭中芯國際的科創板IPO正火速推進。
在宣布回歸A股不到一個月，6月1日晚間，中芯國際便出現在了上交所科創板的受理企業名單之列。當晚招股書披露，中芯國際本次擬發行不超過16.86億股新股，預計募資200億元，計劃分別投入中芯南方正在進行的12英寸芯片SN1項目（80億元），先進及成熟工藝研發項目儲備資金（40億元），補充流動資金（80億元）。就在5月15日，國家大基金二期與上海集成電路基金二期同意分別向中芯南方注資15億美元、7.5億美元，后者注冊資本將增至65億美元。中芯南方的“12英寸芯片SN1項目”規劃月產能為3.5萬片晶圓（工藝技術：14納米及以下），目前已建成月產能6000片。該項目是中國大陸第一條FinFET工藝生產線，也是中芯國際14納米及以下先進工藝研發和量產的主要承載平臺。據記者觀察，目前已上市的105家科創板企業，從受理到報會注冊平均用時121天，其中速度最快的是中國通號，僅歷時約72天。若以該效率計算，中芯國際最快或將于8月12日前后進入報會注冊環節。而本次公司能否借科創板上市的“東風”加快先進制程上的追趕計劃，受到各界關注。中芯國際是全球領先的集成電路晶圓代工企業之一，也是中國大陸技術最先進、規模最大、配套服務最完善、跨國經營的專業晶圓代工企業，主要為客戶提供0.35微米至14納米多種技術節點、不同工藝平臺的集成電路晶圓代工及配套服務。在邏輯工藝領域，中芯國際是中國大陸第一家實現14納米FinFET量產的集成電路晶圓代工企業，代表中國大陸自主研發集成電路制造技術的最先進水平；在特色工藝領域，中芯國際陸續推出中國大陸最先進的24納米 NAND、40納米高性能圖像傳感器等特色工藝，與各領域的龍頭公司合作，實現在特殊存儲器、高性能圖像傳感器等細分市場的持續增長。
中芯國際港股走勢圖
財務數據顯示，2017-2019年公司實現營業收入分別約為213.9億元、230.17億元、220.18億元；同期對應實現歸母凈利潤分別約為12.45億元、7.47億元、17.94億元。2017-2019年中芯國際研發投入占營業收入的比例分別為16.72%、19.42%及21.55%。股東方面，截至2019年12月31日，中芯國際第一大股東大唐香港持股比例為17.00%，第二大股東鑫芯香港持股比例為15.76%，董事會現有14位董事，各股東提名的董事人數均低于董事總人數的二分之一，公司無控股股東和實際控制人。根據IC Insights公布的2018年純晶圓代工行業全球市場銷售額排名，全球排名前三的企業分別為臺積電、格羅方德和聯華電子，占有率分別為59%、11%和9%；中芯國際位居全球第四位，占有率為6%，在中國大陸企業中排名第一。
回看本次募集資金項目，其中80億元將用于“12 英寸芯片 SN1 項目”，該項目的實施主體為中芯南方。據悉，“12 英寸芯片 SN1 項目”預計總投資90.59億美元，規劃月產能3.5萬片，工藝技術水平為14納米及以下，目前已建成月產能6000片，募集資金主要用于滿足將該生產線的月產能擴充到3.5萬片的部分資金需求。中芯國際認為，14納米及以下先進工藝主要應用于5G、人工智能、智能駕駛、高速運算等新興領域，未來發展前景廣闊。本次募資中的40億元則將用于公司先進及成熟工藝研發項目儲備資金，其計劃用于14納米及以下的先進工藝與28納米及以上的成熟工藝技術研發。據記者了解，當前，全球最先進的量產集成電路制造工藝已經達到7納米至5納米，3納米技術則有望在2022年前后進入市場。在中美貿易摩擦背景下，業內最為關心的問題或許莫過于，被稱為華為最強代工“備胎”的中芯國際，其技術水平與最先進的晶圓代工廠相比，還存在多少差距？如何助借科創板上市的“東風”加快追趕步伐？半導體業內人士認為，在集成電路晶圓代工領域，關鍵技術節點的量產能力是衡量企業技術實力的重要標準之一。例如，臺積電的10nm（納米）工藝于2016年量產，7nm量產時間是在2018年；格羅方德的12nm工藝同樣于2018年實現量產；聯華電子的14nm工藝量產時間為2017年；中芯國際的14nm技術則于2019年進入量產，與最先進晶圓廠仍存在著不小差距。
從最新技術進展看，招股書披露，在先進制程領域，中芯國際已連續多年投入FinFET工藝技術研發，目前公司第一代14納米FinFET技術已進入量產階段，第二代FinFET技術（又稱N+1工藝技術）平臺已進入客戶導入階段，并同步研發下一代先進工藝技術。業內對中芯國際上述新一代FinFET技術頗有期待。據長期關注中芯國際的投資者向記者介紹，中芯國際的N+1工藝技術，在功率和穩定性方面，N+1和7nm工藝較為相似，但區別在于性能方面，和14nm相比，N+1工藝性能提約20%，市場基準的（7nm工藝）性能提升應該是35%。按其理解，中芯國際對N+1的目標是低成本應用，可以將成本相對市場上的7nm減少大約10%，因此是一個非常特殊的工藝節點，但因為性能上的差距，尚不能等同于7nm工藝。對于上述性能比較，中芯國際相關人士回應記者時稱：相關工藝性能數據要在量產時才會宣布，建議以最后官方內容為準。盡管要迎頭趕上世界最先進工藝仍有待時日，但機構仍表達看好之情。中信建投在近日研報中指出，中芯國際14nm市場需求景氣向上，帶來更廣闊市場空間。同時，由于突破FinFET工藝，“N+1”“N+2”代先進工藝推進有望超出預期，中芯國際在先進制程節點不斷突破，縮小與國際先進大廠的差距；看好大陸半導體產業鏈轉移給公司帶來的機會。
責任編輯：齊蒙
