- 英特爾改變芯片命名方式 計劃2024年進入埃米時代
- 2021年07月27日 來源：新浪財經
提要：7月27日，英特爾對外公布了最新的制程工藝和封裝技術路線圖，并且還公開了新的工藝節點命名——不再以晶體管尺寸命名——將用“Intel 7”指代芯片。
7月27日，英特爾對外公布了最新的制程工藝和封裝技術路線圖，并且還公開了新的工藝節點命名——不再以晶體管尺寸命名——將用“Intel 7”指代芯片。
此外，英特爾的芯片代工業務（IFS）也在穩步推進中，收獲了高通和AWS（亞馬遜云）兩大客戶。
全新的工藝節點命名體系
英特爾稱，基于原有的FinFET晶體管架構，接下來的工藝節點將被命名為Intel 7、Intel 4、Intel 3。
其中，Intel 7與Intel 10納米SuperFin相比，每瓦性能將提升約10%-15%。2021年即將推出的Alder Lake客戶端產品將會采Intel 7工藝，之后是面向數據中心的 Sapphire Rapids預計將于 2022 年第一季度投產。
Intel 4完全采用EUV（極紫外）光刻技術，可使用超短波長的光，刻印極微小的圖樣。憑借每瓦性能約20%的提升以及芯片面積的改進，Intel 4將在2022年下半年投產，并于2023年出貨。
Intel 3憑借FinFET的進一步優化和在更多工序中增加對EUV使用，較之Intel 4將在每瓦性能上實現約18%的提升，在芯片面積上也會有額外改進。Intel 3將于2023年下半年開始用于相關產品生產。
之前，英特爾在先進制程的推進上不如競爭對手臺積電積極。臺積電的工藝已經推進到3納米，同樣采用FinFET架構。
不過，英特爾一直認為自己的工藝密度更高，不好與競爭對手的產品直接對比。
業界對芯片工藝節點的命名主要以采用晶體管實際的柵極長度相對應，比如40納米、28納米、10納米。但近年，工藝節點命名則不完全以此為準，也出現了不同廠商同為“7納米”但實際工藝不同的說法。
英特爾則表示，從1997年開始，基于納米的傳統制程節點命名方法，不再與晶體管實際的柵極長度相對應。英特爾稱，新的命名體系能幫助客戶對整個行業的制程節點演進建立一個更準確的認知。
英國《金融時報》援引分析師的話稱，雖然臺積電還將其最先進的芯片稱為5納米，但就芯片制造技術而言，其他方面重要性日益突出，用晶體管尺寸命名已經沒有多少意義。
2024年進入埃米時代
當天，英特爾還公布了近十多年來推出的首個全新晶體管架構RibbonFET，以及業界首個背面電能傳輸網絡PowerVia。
英特爾稱，采用RibbonFET架構和PowerVia技術的工藝將被命名為Intel 20A和Intel 18A，從此公司將開起埃米時代。
英特爾介紹，RibbonFET是英特爾對Gate All Around晶體管的實現，它將成為公司自2011年率先推出FinFET以來的首個全新晶體管架構。該技術加快了晶體管開關速度，同時實現與多鰭結構相同的驅動電流，但占用的空間更小。PowerVia是英特爾獨有的、業界首個背面電能傳輸網絡，通過消除晶圓正面供電布線需求來優化信號傳輸。
其中，Intel 20A預計將在2024年推出。高通公司將在Intel 20A制程工藝技術上與英特爾合作。
英特爾稱，從Intel 20A更進一步的Intel 18A節點也已在研發中，將于2025年初推出，它將對RibbonFET進行改進，在晶體管性能上實現又一次重大飛躍。
英特爾CEO基辛格表示，從2021年至2025年，每年至少將推出一款新CPU，并希望到2025年實現工藝性能領先。
《華爾街日報》指出，在經歷了一連串決策失誤和生產延誤后，英特爾已經落后于亞洲競爭對手。臺積電和三星的芯片工藝均領先于英特爾，兩家公司為芯片設計公司代工生產，幫助客戶在與英特爾的競爭中占據優勢。
此外，英特爾還致力于定義、構建和部署下一代High-NA EUV，有望率先獲得業界第一臺High-NA EUV光刻機。英特爾正與ASML密切合作，確保這一行業突破性技術取得成功，超越當前一代EUV。
代工業務收獲首批客戶
早前，英特爾宣布將推出代工服務（IFS）。這次英特爾對外公布代工業務收獲首批兩大客戶高通和AWS。
英特爾CEO基辛格說：“業界對英特爾代工服務有強烈的興趣，今天我很高興我們宣布了首次合作的兩位重要客戶。英特爾代工服務已揚帆起航！”
AWS則是英特爾的封測業務的客戶。英特爾宣布，AWS將成為首個使用英特爾代工服務（IFS）封裝解決方案的客戶。
英特爾稱，隨著全新IDM2.0戰略的實施，封裝對于實現摩爾定律的益處變得更加重要。
英特爾也公布了自己的封裝技術路線圖。從最早首個2.5D嵌入式橋接解決方案出貨EMIB產品，到Foveros利用晶圓級封裝能力，提供首個3D堆疊解決方案，到下一代Foveros Omni提供高性能3D堆疊技術以及最新的Foveros Direct實現了向直接銅對銅鍵合的轉變，使得晶圓制程到封裝之間的界限不那么截然，使得堆疊的密度提高一個數量級。
英特爾稱，這些突破性的技術將主要在英特爾俄勒岡州和亞利桑那州的工廠開發。
