- 中國首款！長江存儲64層3D NAND閃存開始量產
- 2019年09月02日 來源：中國證券報
提要：記者從紫光集團獲悉，紫光集團旗下長江存儲于9月2日正式宣布，公司已開始量產基于Xtacking架構的中國首款64層256Gb TLC 3D NAND閃存，以滿足固態硬盤、嵌入式存儲等主流市場應用需求。
記者從紫光集團獲悉，紫光集團旗下長江存儲于9月2日正式宣布，公司已開始量產基于Xtacking架構的中國首款64層256Gb?TLC?3D?NAND閃存，以滿足固態硬盤、嵌入式存儲等主流市場應用需求。
長江存儲64層3D?NAND閃存是全球首款基于Xtacking架構設計并實現量產的閃存產品，擁有同代產品中最高的存儲密度。Xtacking可實現在兩片獨立的晶圓上分別加工外圍電路和存儲單元，這樣有利于選擇更先進的制造工藝。當兩片晶圓各自完工后，創新的Xtacking技術只需一個處理步驟就可通過數十億根垂直互聯通道(VIA)將兩片晶圓鍵合。相比傳統3D?NAND閃存架構，Xtacking可帶來更快的I/O傳輸速度、更高的存儲密度和更短的產品上市周期。
長江存儲聯席首席技術官、技術研發中心高級副總裁程衛華表示：“通過將Xtacking架構引入批量生產，能夠顯著提升產品性能，縮短開發周期和生產制造周期，從而推動高速大容量存儲解決方案市場的快速發展。”程衛華還提到，“隨著5G、人工智能和超大規模數據中心時代的到來，閃存市場的需求將持續增長。長江存儲64層3D?NAND閃存產品的量產將為全球存儲器市場健康發展注入新動力。”?
公開資料顯示，2016年，長江存儲在NOR?Flash晶圓制造商武漢新芯的基礎上，由紫光集團聯合國家集成電路產業基金、湖北省地方基金、湖北省科投共同投資組建而成，負責國家存儲器基地項目（總投資約為240億美元）的研發、建設和運營。長江存儲于2017年研制成功中國第一顆3D?NAND閃存芯片。2018年8月公開發布其突破性技術——Xtacking技術。據記者此前了解，盡管32層3D?NAND已有小批量生產，但大批量生產并不在長江存儲的計劃之內，其瞄準的是與全球巨頭縮小差距，盡快追上64層甚至128層的全球領先水平。
值得一提的是，除了通過布局3D?NAND進入外儲存器市場外，紫光集團也在主存儲器市場做了布局。8月27日，重慶市人民政府與紫光集團簽署紫光存儲芯片產業基地項目合作協議。根據協議，紫光集團將在重慶兩江新區發起設立紫光國芯集成電路股份有限公司和重慶紫光集成電路產業基金，建設包括DRAM總部研發中心在內的紫光DRAM事業群總部、DRAM存儲芯片制造工廠、紫光科技園等。
